Elettrodo interdigitato con substrato di silicio da 1μm, confezione da 10

- Spazio di linea di precisione da 1 μm con larghezza della linea di 5 μm e lunghezza del dito di 1800 μm, con 100 coppie interdigitate (200 ) for il rilevamento ad alta sensibilità.
- Costruito su silicio monocristallino di tipo P con strato isolante SiO2 da 300 nm, garantisce una trasmissione del segnale elettrica stabile e affidabile.
- Lo strato conduttore di Cr/Au (30 nm/100 nm) fornisce eccellente conduttività e resistenza, ideale for applicazioni di sensori a lungo termine.
- Ampio intervallo di temperature operative da -100°C a +500°C, adatto a condizioni ambientali difficili nella ricerca e nell'uso industriale.
- Il substrato di grandi dimensioni (5 mm x 8 mm) e i cuscinetti sovradimensionati semplificano il collegamento e la gestione dei cavi, facilitando la successiva integrazione nei sistemi di sensori.